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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB

总分
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

总分
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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB 需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 15.5
    测试中的平均数值
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB 需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    24 left arrow 59
    左右 -146% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    9.8 left arrow 2,123.3
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 6400
    左右 3 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    59 left arrow 24
  • 读取速度，GB/s
    4,833.8 left arrow 15.5
  • 写入速度，GB/s
    2,123.3 left arrow 9.8
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    731 left arrow 2509

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SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
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内存RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Kingston 9905668-001.A00G 8GB
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内存RAM
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
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内存RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Kingston K821PJ-MIB 16GB
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内存RAM
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Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
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内存RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
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