Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB

总分
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

总分
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB

差异

  • 更快的读取速度,GB/s
    4 left arrow 15.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    2,123.3 left arrow 12.4
    测试中的平均数值
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    34 left arrow 59
    左右 -74% 更低的延时
  • 更高的内存带宽,mbps
    21300 left arrow 6400
    左右 3.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    59 left arrow 34
  • 读取速度,GB/s
    4,833.8 left arrow 15.8
  • 写入速度,GB/s
    2,123.3 left arrow 12.4
  • 内存带宽,mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    731 left arrow 2902
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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