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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
59
左右 -119% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.5
2,123.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
27
读取速度,GB/s
4,833.8
14.1
写入速度,GB/s
2,123.3
8.5
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2436
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
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Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
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