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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
21.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
59
左右 -211% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
22.2
2,123.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
19
读取速度,GB/s
4,833.8
21.9
写入速度,GB/s
2,123.3
22.2
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
4574
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
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