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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
11.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
59
左右 -74% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
34
读取速度,GB/s
4,833.8
15.4
写入速度,GB/s
2,123.3
11.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2763
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM的比较
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Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
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