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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
12.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
59
左右 -79% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
33
读取速度,GB/s
4,833.8
16.0
写入速度,GB/s
2,123.3
12.1
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2947
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BC160B.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
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