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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
12.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
59
左右 -146% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
24
读取速度,GB/s
4,833.8
17.0
写入速度,GB/s
2,123.3
12.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3151
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
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Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
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