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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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需要考虑的原因
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
55
59
左右 -7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
9.3
4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.4
2,123.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
55
读取速度,GB/s
4,833.8
9.3
写入速度,GB/s
2,123.3
7.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2078
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
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Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
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