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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
59
左右 -79% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
33
读取速度,GB/s
4,833.8
19.7
写入速度,GB/s
2,123.3
14.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3671
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
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