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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
53
59
左右 -11% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.6
2,123.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
53
读取速度,GB/s
4,833.8
10.4
写入速度,GB/s
2,123.3
8.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2285
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
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Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
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Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
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