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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
11.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
59
左右 -64% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
36
读取速度,GB/s
4,833.8
15.5
写入速度,GB/s
2,123.3
11.9
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2734
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
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Kingston 9905663-007.A00G 16GB
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