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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
13.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
59
左右 -37% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
23400
6400
左右 3.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
43
读取速度,GB/s
4,833.8
15.0
写入速度,GB/s
2,123.3
13.0
内存带宽,mbps
6400
23400
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2794
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
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