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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
58
59
左右 -2% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
9.2
4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.0
2,123.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
58
读取速度,GB/s
4,833.8
9.2
写入速度,GB/s
2,123.3
7.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2108
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
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Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
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Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
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