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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
12.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
59
左右 -119% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.2
2,123.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
27
读取速度,GB/s
4,833.8
12.8
写入速度,GB/s
2,123.3
8.2
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2148
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
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SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
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Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
G Skill Intl F5-6000U4040E16G 16GB
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