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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
11.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
59
左右 -84% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
32
读取速度,GB/s
4,833.8
15.5
写入速度,GB/s
2,123.3
11.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
3198
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
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