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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB

总分
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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

总分
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A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB

A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB 需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 16.6
    测试中的平均数值
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB 需要考虑的原因
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    60 left arrow 69
    左右 -15% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    15.3 left arrow 1,857.7
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    25600 left arrow 6400
    左右 4 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    69 left arrow 60
  • 读取速度，GB/s
    4,217.2 left arrow 16.6
  • 写入速度，GB/s
    1,857.7 left arrow 15.3
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    668 left arrow 2813

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较

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Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
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内存RAM
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
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内存RAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
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内存RAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
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内存RAM
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
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内存RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
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内存RAM
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
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内存RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston 9965589-008.D01G 8GB
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Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Kingston 9905702-071.A00G 8GB
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