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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
69
左右 -146% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.7
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
28
读取速度,GB/s
4,217.2
18.6
写入速度,GB/s
1,857.7
15.7
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3741
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
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