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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
69
左右 -188% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.3
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
24
读取速度,GB/s
4,217.2
15.6
写入速度,GB/s
1,857.7
12.3
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2706
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
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Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
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