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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
69
左右 -214% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.3
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
22
读取速度,GB/s
4,217.2
15.0
写入速度,GB/s
1,857.7
7.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2452
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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