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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
69
左右 -146% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.1
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
28
读取速度,GB/s
4,217.2
17.3
写入速度,GB/s
1,857.7
13.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3340
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
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Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
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