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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
69
左右 -123% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.2
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
31
读取速度,GB/s
4,217.2
17.6
写入速度,GB/s
1,857.7
14.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3542
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
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