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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
12.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
69
左右 -156% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.9
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
27
读取速度,GB/s
4,217.2
12.2
写入速度,GB/s
1,857.7
15.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3199
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
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