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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
69
左右 -188% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
16.3
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
24
读取速度,GB/s
4,217.2
19.5
写入速度,GB/s
1,857.7
16.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3718
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
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