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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
69
左右 -103% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.7
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
34
读取速度,GB/s
4,217.2
14.7
写入速度,GB/s
1,857.7
9.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2776
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
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