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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
69
左右 -200% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
19.5
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
23
读取速度,GB/s
4,217.2
19.9
写入速度,GB/s
1,857.7
19.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
4150
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PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664BA160B.C8F 2GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
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G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
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