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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
69
左右 -73% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.5
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
40
读取速度,GB/s
4,217.2
13.8
写入速度,GB/s
1,857.7
10.5
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2755
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2800C12 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
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