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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
69
左右 -47% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.5
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
47
读取速度,GB/s
4,217.2
14.7
写入速度,GB/s
1,857.7
13.5
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3275
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
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