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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
69
左右 -97% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.8
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
35
读取速度,GB/s
4,217.2
16.1
写入速度,GB/s
1,857.7
14.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3423
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
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SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
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