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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
69
左右 -130% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.8
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
30
读取速度,GB/s
4,217.2
16.4
写入速度,GB/s
1,857.7
11.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2846
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
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