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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
69
左右 -92% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.3
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
36
读取速度,GB/s
4,217.2
15.0
写入速度,GB/s
1,857.7
11.3
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2653
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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