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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
69
左右 -60% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.9
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
43
读取速度,GB/s
4,217.2
14.6
写入速度,GB/s
1,857.7
13.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3252
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
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