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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
69
左右 -200% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
16.9
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
23
读取速度,GB/s
4,217.2
18.9
写入速度,GB/s
1,857.7
16.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3936
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
UMAX Technology 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
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