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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
69
左右 -73% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.7
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
40
读取速度,GB/s
4,217.2
15.6
写入速度,GB/s
1,857.7
12.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2772
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
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A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
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