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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
60
69
左右 -15% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.8
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
60
读取速度,GB/s
4,217.2
17.3
写入速度,GB/s
1,857.7
8.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2129
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
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