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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
69
左右 -156% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.7
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
27
读取速度,GB/s
4,217.2
18.1
写入速度,GB/s
1,857.7
15.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3845
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
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Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
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