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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
69
左右 -146% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.4
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
6400
左右 3.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
28
读取速度,GB/s
4,217.2
18.6
写入速度,GB/s
1,857.7
14.4
内存带宽,mbps
6400
23400
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3491
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
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G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
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