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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
69
左右 -123% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.8
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
31
读取速度,GB/s
4,217.2
15.9
写入速度,GB/s
1,857.7
9.8
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2881
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
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Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
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