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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
69
左右 -116% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.3
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
32
读取速度,GB/s
4,217.2
16.1
写入速度,GB/s
1,857.7
12.3
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2902
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Mushkin 992031 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
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