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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
69
左右 -229% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.8
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
21
读取速度,GB/s
4,217.2
18.2
写入速度,GB/s
1,857.7
11.8
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2718
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
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