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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
69
左右 -82% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.4
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
38
读取速度,GB/s
4,217.2
14.7
写入速度,GB/s
1,857.7
11.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2919
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
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ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
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