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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
69
左右 -130% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.2
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
30
读取速度,GB/s
4,217.2
17.1
写入速度,GB/s
1,857.7
13.2
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3047
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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