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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
69
左右 -165% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.6
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
26
读取速度,GB/s
4,217.2
18.8
写入速度,GB/s
1,857.7
15.6
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3733
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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