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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
69
左右 -86% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.2
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
37
读取速度,GB/s
4,217.2
13.6
写入速度,GB/s
1,857.7
9.2
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2722
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68E9W1600 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
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