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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
69
左右 -200% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.4
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
23
读取速度,GB/s
4,217.2
16.5
写入速度,GB/s
1,857.7
10.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2537
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
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Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
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