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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
69
左右 -214% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.7
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
22
读取速度,GB/s
4,217.2
18.5
写入速度,GB/s
1,857.7
13.7
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3283
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
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