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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
69
左右 -109% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.2
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
33
读取速度,GB/s
4,217.2
16.9
写入速度,GB/s
1,857.7
13.2
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3134
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
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