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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
69
左右 -116% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.8
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
32
读取速度,GB/s
4,217.2
15.1
写入速度,GB/s
1,857.7
10.8
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2667
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Jinyu 16GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
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G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
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