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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.7
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
69
读取速度,GB/s
4,217.2
15.7
写入速度,GB/s
1,857.7
7.7
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
1831
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
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