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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
41
69
左右 -68% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.9
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
41
读取速度,GB/s
4,217.2
13.5
写入速度,GB/s
1,857.7
10.9
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2797
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-010.A00G 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HG5N-CG 4GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
INTENSO 5641152 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
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