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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
69
左右 -165% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.9
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
26
读取速度,GB/s
4,217.2
14.3
写入速度,GB/s
1,857.7
8.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2384
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
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Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
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Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Mushkin 994083 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
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